由于石墨盤(pán)與晶圓接觸區(qū)域較多，在生長(zhǎng)厚膜外延片時(shí)，沉積的外延層會(huì)增加石墨盤(pán)與半導(dǎo)體晶圓的粘接，使得生長(zhǎng)完成后將外延片從石墨盤(pán)中無(wú)損傷取出較為困難，甚至可能導(dǎo)致裂片；2)因晶圓邊緣處較高的臺(tái)階使得該區(qū)域存在氣體湍流，容易滯留較多的生長(zhǎng)氣體，從而使得外延片厚度和載流子濃度均勻性較差；3)因外延爐一般采用射頻感應(yīng)加熱，熱量傳遞的方向是沿著石墨盤(pán)徑向從邊緣到中心，使得石墨盤(pán)邊緣的溫度高于中心區(qū)域的溫度，這在大尺寸外延生長(zhǎng)中尤為突出。