電子器件制作設(shè)備用高純炭素制品
    生產(chǎn)以回憶芯片為代表的電子器件，要經(jīng)過多種處理工藝。
    硅片外延處理工序。在此工序中，以硅片為基板，在其外表生成相同的硅單晶的一起，經(jīng)過摻加不純物而構(gòu)成p型層或n型層。外延工藝一般以CVD法(化學(xué)氣相沉淀)為干流。其設(shè)備的概略如圖所示。工藝流程為，用氟酸將硅片清洗，枯燥后，貼置于基座上，然后加熱升溫，通入鹽酸除掉硅片外表的氧化層，生成外延層。基座要求選擇具有不能伴有金屬污染、耐高溫及耐鹽酸腐蝕、不與硅反響、沒有氣體產(chǎn)生等特性的資料。作為能滿足這些要求的資料，一般運(yùn)用以高純炭素制品為基材，經(jīng)過CVD法在基材外表進(jìn)行高純SiC涂層的基座。
    氧化、分散工序。關(guān)于硅資料器件而言，這個(gè)工序是構(gòu)成絕緣膜的最重要的工序。構(gòu)成絕緣膜的辦法有高溫氧化法和CVD法。在單體處理式的等離子體CVD辦法中，高純炭素制品既是等離子體的放電電極，也是硅片的支撐板。其設(shè)備概略如圖所示。這兒所運(yùn)用的資料，相同要求不能運(yùn)用中伴有金屬污染，并且需具有誘發(fā)等離子產(chǎn)生的導(dǎo)電性，以及對反響氣體、電極板清洗氣體的抗腐蝕性。為了解決石墨內(nèi)部微量不純物的產(chǎn)生問題，有時(shí)也運(yùn)用在外表進(jìn)行玻璃炭涂層或熱分解涂層，或者浸漬的炭素制品?，F(xiàn)在，單體式設(shè)備正在逐漸削減，而代之以枚葉式設(shè)備